IDT71V124SA, 3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
Timing Waveform of Read Cycle No. 1 (1)
t RC
ADDRESS
t AA
OE
t OE
Commercial and Industrial Temperature Ranges
CS
t OLZ (5)
t CLZ
(5)
t ACS (3)
t CHZ (5)
t OHZ (5)
DATA OUT
HIGH IMPEDANCE
DATA OUT VALID
.
3873 drw 05
Timing Waveform of Read Cycle No. 2 (1, 2, 4)
t RC
ADDRESS
t AA
t OH
t OH
DATA OUT
PREVIOUS DATA OUT VALID
DATA OUT VALID
3873 drw 06
.
NOTES:
1. WE is HIGH for Read Cycle.
2. Device is continuously selected, CS is LOW.
3. Address must be valid prior to or coincident with the later of CS transition LOW; otherwise t AA is the limiting parameter.
4. OE is LOW.
5. Transition is measured ±200mV from steady state.
5
6.42
相关PDF资料
IDT71V256SA20PZG IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP
IDT71V25761S200PFGI IC SRAM 4MBIT 200MHZ 100TQFP
IDT71V30L35TFI IC SRAM 8KBIT 35NS 64STQFP
IDT71V321L25TFI IC SRAM 16KBIT 25NS 64STQFP
IDT71V3556SA166BGGI IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA
IDT71V3559S85BQI IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA
IDT71V35761YSA200BGI IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA
IDT71V3577S75BQG IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA
相关代理商/技术参数
IDT71V124SA10PHGI8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘
IDT71V124SA10TY 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V124SA10TY8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V124SA10TYG 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.8mm 宽) 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8
IDT71V124SA10TYG8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.8mm 宽) 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8
IDT71V124SA10TYGI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V124SA10TYGI8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V124SA10Y 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI